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大功率LED晶片封装方法

来源:http://lrbqc.cn 责任编辑:环亚ag88手机版 更新日期:2018-09-22 17:34

  大功率LED晶片封装方法

   一.加大尺度法:经过增大单颗LED的有用发光面积,和增大尺度后促进流经TCL层的电流均匀分布而特别设电路电极结构
(一般为梳状电极)之改动以求到达预期光通量,但简略的增大发光面积无法处理底子的散热和出光问题。

二.硅底板倒装法:1.在外延片顶部的P型GaNiMg堆积厚度大于500埃的NiAu层,用于欧姆触摸和背反射,2.选用掩模挑选刻烛掉P型层和多量子阱有源层显露的N型层3.堆积刻烛构成N型欧姆触摸层,芯片尺度1X1mm,P型欧姆触摸为正方形,N欧姆触摸以梳状刺进其间,这样缩短衬底电阻减小。4.将金属化的凸点的AlGaInN芯片倒装焊接在具有ESD的硅载体

三.陶瓷底板倒装法:既是制备出适合共晶焊接电极结构的大出光面积和相应的陶瓷底板

四.蓝宝石衬底过渡法:既是依照传统的ZnGaN芯片制作办法在蓝宝石衬底生长出PN结后蓝宝石衬底切除再衔接传统四元资料,制作出上下电极结构的大尺度蓝光LED芯片
成型后的大功率蓝色芯片封装根底结构一般是衔接芯片端选用铜基式银基热堆积再将该热沉衔接在铝基散热器上选用阶梯型导热结构,使用铜基式银基热沉的高导热率将芯片发生热量高效传递到铝基散热器,再铝基散热器散出,一般用于银胶,空军工程大学第一批业务管理信息系统建设项,但银胶的热阻高,且TG点低,所以现在用锡 。(小汤)

  

   大功率LED晶片封装

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